Indústria médica 4KV500mA70nS alta freqüência de alta tensão diodo SLG04-05 fabricantes de HVDIODE de recuperação ultra rápida

Item número.: SLG0004
As principais características desta série de produtos: 1. Baixa corrente de fuga reversa e proteção de corrente de sobretensão transitória de 10 mS transitória; 2. Resistência à tensão de choque e características de proteção contra avaria de avalanche de
  • 反向电压: Array
  • 正向电流: Array
  • 反向恢复时间: Array
  • 工作频率: Array
  • 外形描述: Array
  • 规格尺寸: Array
  • 芯片工艺: Array
  • PN结点温度: Array
  • 漏电流标准: Array
  • Descrição
    Esta série de produtos é amplamente utilizada em:
    Equipamento médico, despoeiramento eletrostático, revestimento por spray, selagem a quente de alta frequência, secagem de madeira curvada, desidratação e dessalinização de óleo, detecção de alta pressão, injeção de plasma, acelerador de íons, soldagem por feixe de elétrons, microscopia eletrônica, gerador de ozônio de íons negativos, purificação do ar, revestimento a vácuo , Limpeza ultra-sônica, ignição de alta energia, inspeção de máquinas de raios-X, imagens médicas de DR, microondas industrial, modulação por radar, transmissor sem fio de transmissão, equipamento de corte e solda a laser e outras fontes de alimentação DC, fontes de alimentação por pulso e outros equipamentos eletrônicos. Marketing de produtos em todo o país e no mundo!
     

    Valor limite

    Absoluto

    Máximo

    Avaliações

      Nome do parâmetro
    Item
    Símbolo
    Símbolo
    Unidade
    Unidade
    Condições de teste
    Condições
    Valor
    Tensão
    Tensão reversa de pico repetitiva
    Tensão inversa de pico repetitivo
    Vrrm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2,0 μA 4
    Pico de tensão reversa de trabalho
    Tensão de trabalho inversa de pico
    Vrwm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2,0 μA 4
    Corrente média direta
    Corrente direta média
    Se (AV) mA Meia onda senoidal 50Hz, carga resistiva, Tbreak = 50 ℃
    (Onda semi-senoidal de 50Hz, carga de resistência @ Tbreak = 50 ℃)
    500
    Tempo de recuperação reversa
    Tempo de recuperação para trás
    Trr nS   70
    Corrente de energização direta (não repetitiva)
    Corrente de avanço de surto
    Ifsm Um Duração de meia onda senoidal 0,01S 50Hz
    0.01S @ meia onda senoidal 50Hz
    20
    Temperatura ambiente de trabalho
    Temperatura ambiente operacional
    Ta   -50 ~ + 175
    Temperatura de armazenamento
    Temperatura de armazenamento
    Tstg   -40 ~ + 120

    Características elétricas

    Elétrica

    Características

    Tensão de pico direta
    Tensão de pico direta
    Vfm V   ≥6
    Corrente reversa de pico
    Corrente de pico para trás
    Irrm1 μA @ Ta = 25 ℃ VRM = VRRM 2.0
    Irrm2 μA @ Ta = 100 ℃ VRM = VRRM 20,0