Fabricantes de HVDIODE produzem reator de silício poroso de alta pressão 2CL100KV-3A, qualidade militar especial para desidratação de petróleo bruto

Item número.: GD049
Os produtos da série de pilhas de silício de alta tensão da marca HVDIODE são dispositivos retificadores de alta tensão compostos por vários chips de junção PN de micro-unidades para obter uma estrutura de unidade em camadas com alta tensão suportável.A e
  • 反向电压: Array
  • 正向电流: Array
  • 产品尺寸: Array
  • Descrição
    Esta série de produtos é amplamente utilizada em:
    Equipamento médico, despoeiramento eletrostático, revestimento por spray, selagem a quente de alta frequência, secagem de madeira curvada, desidratação e dessalinização de óleo, detecção de alta pressão, injeção de plasma, acelerador de íons, soldagem por feixe de elétrons, microscopia eletrônica, gerador de ozônio de íons negativos, purificação do ar, revestimento a vácuo , Limpeza ultra-sônica, ignição de alta energia, inspeção de máquinas de raios-X, imagens médicas de DR, micro-ondas industriais, modulação por radar, transmissor sem fio de transmissão, equipamentos de corte e solda a laser e outras fontes de alimentação DC, fontes de pulso e outros equipamentos eletrônicos. Marketing de produtos em todo o país e no mundo!

    As principais características desta série de produtos:
    Corrente de fuga reversa 1.Low, proteção atual transitória transitória de 10mS;
    2, suportar tensão, com características de proteção contra avaria de tensão de avalanche;
    3. Excelentes características de descarga contínua;
    4. Alta resistência ao calor, a faixa de temperatura da junção PN é tão alta quanto 125 ℃ ~ 175 ℃;
    5. Tecnologia de embalagem de chip de passivação de vidro de alta temperatura avançada opcional;
    6, o processo é ecológico e atende aos padrões internacionais;
    7. Implementar rigorosamente o sistema internacional de gestão da qualidade ISO9001 para controlar a qualidade do produto;
    8. A nova tecnologia de moldagem e embalagem garante a resistência à umidade do produto e pode suportar o ambiente hostil.
    9, também pode ser projetado de acordo com produtos exclusivos do cliente.

    Valor limite

    Absoluto

    Máximo

    Avaliações

      Nome do parâmetro
    Item
    Símbolo
    Símbolo
    Unidade
    Unidade
    Condições de teste
    Condições
    Valor
    Tensão
    Tensão reversa de pico repetitiva
    Tensão inversa de pico repetitivo
    Vrrm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2μA 100
    Pico de tensão reversa de trabalho
    Tensão de trabalho inversa de pico
    Vrwm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2μA 100
    Corrente média direta
    Corrente direta média
    Se (AV) Um Meia onda senoidal 50Hz, carga resistiva, Tbreak = 50 ℃
    (Onda semi-senoidal de 50Hz, carga de resistência @ Tbreak = 50 ℃)
    3
    Tempo de recuperação reversa
    Tempo de recuperação para trás
    Trr nS   -
    Corrente de surto direta (não repetitiva)
    Corrente de avanço de surto
    Ifsm Um Duração de meia onda senoidal 0,01S 50Hz
    0.01S @ meia onda senoidal 50Hz
    120
    Temperatura ambiente de trabalho
    Temperatura ambiente operacional
    Ta   -40 ~ + 150
    Temperatura de armazenamento
    Temperatura de armazenamento
    Tstg   -40 ~ + 120

    Características elétricas

    Elétrica

    Características

    Tensão de pico direta
    Tensão de pico direta
    Vfm V   ≥120
    Corrente reversa de pico
    Corrente de pico para trás
    Irrm1 μA @ Ta = 25 ℃ VRM = VRRM 5.0
    Irrm2 μA @ Ta = 100 ℃ VRM = VRRM 50,0